半导体制作。半导过程中运用的体制体剖气体品种繁复，这些气体大致上可区分为大宗气体与特别气体。程气从制程功用的半导视点来看
，气体的体制体剖分类更为详尽 ，包含反使用气体、程气清洗用气体 、半导燃烧用气体 、体制体剖载气等
 。程气

在。半导半导体。体制体剖制作的程气微观世界里 ，制程气体扮演着至关重要的半导人物，它直接影响工艺精度 、体制体剖产品良率以及出产安全。程气但是，这些气体的剖析与监测却面临着许多应战。

应战1。

超高纯度与痕量杂质检测。

半导体制作对制程气体的纯度要求极高，像氩气
、氮气
、硅烷等气体，其纯度需到达ppb（十亿分之一）乃至 ppt（万亿分之一）等级
。因为哪怕是一丁点的微量杂质
，如水分、氧气、颗粒物等，都或许导致晶圆缺点 。

传统检测技能（如气相色谱
、质谱），在灵敏度与抗搅扰才能方面存在缺乏。高分辨率质谱（H 。RMS。）和激光光谱技能（如 TDLAS）应运而生 ，但这类设备不只本钱昂扬 ，保护难度也极大。

应战2。

杂乱混合气体的实时剖析。

半导体工艺中，常常会用到多组分的混合气体（如 C4F8/O2/Ar 蚀刻气体） 。剖析时需一起监测主成分、副产物（如 CFx、聚合物）及残留物，但不同气体的光谱或质谱。信号
。或许堆叠（如N₂与CO的质荷比附近），导致检测成果混杂。

更具应战性的是，快速工艺（如原子层堆积ALD）要求剖析体系具有毫秒级呼应才能，而传统采样办法因推迟问题难以满意 。

应战3
。

极点环境下的剖析可靠性
。

半导体制作环境或许触及高温（>500℃） 、 。高压 。、等离子体或腐蚀性气体（如Cl₂ 、HF） 。这些极点条件对。传感器。资料构成了严峻应战，简单导致传感器腐蚀或热漂移 ，然后影响剖析成果的准确性(如金属氧化物半导体传感器在HF环境中或许会失效，而等离子体则会搅扰
。光学。检测信号)。

应战4。

毒性/易燃气体安全监测 。

硅烷（自燃）、砷烷（剧毒） 、六氟化钨（强腐蚀）等气体一旦走漏 ，或许引发严峻的安全事故。因而
，需求在极低浓度（ppm级）下快速检测这些气体  ，一起避免因环境搅扰导致的误报
。

应战5。

数据剖析与体系整合。

制程气体剖析发生的海量数据需求实时处理，并与制程设备（如MES体系）进行联动。此外，多源数据（如气体浓度、流量、温度）的同步与相关剖析也是一大应战
。

应战6。

新式工艺带来的新需求。

跟着半导体技能的不断发展，先进制程（如3nm以下）、第三代半导体（GaN 、SiC）及EUV光刻技能等新式工艺对气体提出了更高的要求。例如，EUV光刻需求操控H₂中的CO杂质，以避免镜面污染；SiC外延成长需求准确调控SiH₄/C₃H₈份额 ，传统热导检测器（TCD）因动态规模约束难以担任。

在半导体制程中，气体剖析的关注点不只包含一般气体规范中的纯度项目
，更多杂质项目（包含金属 、离子 、颗粒等）同样是要害监测目标。因为不同气体特性差异明显，剖析时需针对其特性 ，选用专用或特别规划的实验室剖析仪器或线上剖析仪器。

SGS半导体超痕量剖析实验室 。

此外，实验室的安全设施与尾气处理体系也是必需考量要素，需保证在气体剖析过程中有用操控安全危险及环境影响 。而在特别气体的取样（采样）环节，其技能要求与安全防护的重要性乃至高于剖析环节自身。

SGS已在台湾与爱尔兰建立了完善的半导体气体剖析才能，检测规模掩盖纯度
、杂质 、水分
、氧气、颗粒、金属 、离子等多项目标；SGS坐落上海的半导体超痕量剖析实验室现在已具有部分检测才能
，并正活跃拓宽更完全的剖析服务 ，以满意半导体职业日益苛刻的气体检测需求
。