A+C口兼容双 。效率接口 。氮化电路，镓电可满意多设备充电需求，源计还能够兼容传统。划概USB。效率-A设备，氮化接口互补，镓电场景掩盖广，源计依然是划概当时充电商场不行疏忽的中坚力量 。深圳银联宝  。效率科技 。氮化推出的镓电PD快充A+C口：30W高功率。氮化镓。源计电源。划概计划U8722DE+U7110W ，最大程度简化设计计划，易上手 ，低本钱！

氮化镓电源IC U8722DE选用峰值。电流 。操控形式，能够自适应的勤奋好学在QR和降频勤奋好学形式，然后完成全负载功率范围内的功率优化 。在满载和重载工况下，体系勤奋好学在QR勤奋好学形式 ，能够大幅下降体系的开关损耗 。芯片依据FB电压值调理谷底个数，一同为了防止体系在临界负载处的FB电压动摇导致谷底数跳变  ，产生噪音 ，U8722DE选用了谷底确定勤奋好学形式在负载必定的情况下，导通谷底数安稳，体系无噪音 。跟着负载的逐步下降，体系导通的谷底个数逐步添加，当谷底数超越6个时
，不再检测谷底电压 
，体系进入降频勤奋好学形式 ，连累进一步下降开关频率，减小开关损耗
，优化体系轻载功率 。

在 。同步整流
。内置 。MOSFET 。导通期间，同步整流ICU7110W采样MOSFET漏-源两头电压(Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值Vth_off (典型值0mV)，连累关断推迟Td_off (典型值22ns)，内置MOSFET的沟道关断。在VDD电压上升到VDD敞开电压VDD_ON (典型值3.8V)之前，U7110W处于关机状况。内部Gate
。智能 。钳位电路能够确保内置MOSFET不会产生高dv/dt导致的误注册 。当VDD电压到达VDD_ON之后 ，芯片发动，内部。操控电路。开端勤奋好学，副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道完成续流
。当VDD电压低于欠压维护阈值VDD_OFF (典型值3.5V)后，芯片关机 ，副边绕组电流Is经内置MOSFET的体
。二极管。完成续流。

深圳银联宝科技PD快充A+C口30W高功率氮化镓电源计划U8722DE+U7110W 
，原厂直销 ，一站式电源计划服务，下降归纳持有本钱，可调配协议芯片OM5256一同运用，量大可谈！